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Artigo de periodico
Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects (2024)
Sandoval, Marcelo Alejandro Toloza ; Padilla, Jhon Elber Leon ; Wanderley, Adilson Barros ; Sipahi, Guilherme Matos ; Chubaci, José Fernando Diniz ; Silva, Antonio Ferreira da
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF
Subjects: APRENDIZADO COMPUTACIONAL, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANDOVAL, Marcelo Alejandro Toloza et al. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, v. 135, n. 10, p. 103901-1-103901-9, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0187962. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Sandoval, M. A. T., Padilla, J. E. L., Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., Chubaci, J. F. D., & Silva, A. F. da. (2024). Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, 135( 10), 103901-1-103901-9. doi:10.1063/5.0187962
NLM
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
Vancouver
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
Trabalho de evento-resumo
Strain in polytypic nanowires (2023)
Siqueira, Anderson Henrique; Sipahi, Guilherme Matos ; Alves, Horácio Wagner Leite
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: NANOTECNOLOGIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SIQUEIRA, Anderson Henrique e SIPAHI, Guilherme Matos e ALVES, Horácio Wagner Leite. Strain in polytypic nanowires. 2023, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2023. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Siqueira, A. H., Sipahi, G. M., & Alves, H. W. L. (2023). Strain in polytypic nanowires. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf
NLM
Siqueira AH, Sipahi GM, Alves HWL. Strain in polytypic nanowires [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf
Vancouver
Siqueira AH, Sipahi GM, Alves HWL. Strain in polytypic nanowires [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor (2023)
Wanderley, Adilson Barros; Sipahi, Guilherme Matos ; Oliveira, Caio Estevão de
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA COMPUTACIONAL
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ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos e OLIVEIRA, Caio Estevão de. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor. 2023, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fc1e79d7-8cdd-4df7-ba9c-9789ca588902/3178413.pdf. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., & Oliveira, C. E. de. (2023). Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/fc1e79d7-8cdd-4df7-ba9c-9789ca588902/3178413.pdf
NLM
Wanderley AB, Sipahi GM, Oliveira CE de. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fc1e79d7-8cdd-4df7-ba9c-9789ca588902/3178413.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Sipahi GM, Oliveira CE de. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fc1e79d7-8cdd-4df7-ba9c-9789ca588902/3178413.pdf
Trabalho de evento-resumo
Festa do Livro da USP São Carlos - FLUSP: experiência das bibliotecas do campus USP São Carlos, do Centro Cultural do campus USP de São Carlos e da Editora da Universidade de São Paulo - EDUSP (2023)
Prado, Ana Mara Marques da Cunha ; Moraes, Juliana de Souza ; Almeida, Edison Santiago de; Pelozio, Márcio do Santos; Sipahi, Guilherme Matos ; Aranda, Rosane Aparecida; Diegues, Célia Maria ; Ziemath, Natalina Ordiva Ribeiro; Sintra, Rui
Source: Resumos. Conference titles: Congresso dos Profissionais das Universidades Estaduais de São Paulo - CONPUESP. Unidades: IFSC, ICMC, PUSP-SC, EDUSP, EESC
Subjects: EVENTOS, LIVRARIAS, CULTURA, EXTENSÃO UNIVERSITÁRIA, BIBLIOTECA UNIVERSITÁRIA
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ABNT
PRADO, Ana Mara Marques da Cunha et al. Festa do Livro da USP São Carlos - FLUSP: experiência das bibliotecas do campus USP São Carlos, do Centro Cultural do campus USP de São Carlos e da Editora da Universidade de São Paulo - EDUSP. 2023, Anais.. São Paulo: Conselho de Reitores das Universidades Estaduais - CRUESP, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.20396/conpuesp.2.2023.4955. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Prado, A. M. M. da C., Moraes, J. de S., Almeida, E. S. de, Pelozio, M. do S., Sipahi, G. M., Aranda, R. A., et al. (2023). Festa do Livro da USP São Carlos - FLUSP: experiência das bibliotecas do campus USP São Carlos, do Centro Cultural do campus USP de São Carlos e da Editora da Universidade de São Paulo - EDUSP. In Resumos. São Paulo: Conselho de Reitores das Universidades Estaduais - CRUESP. doi:10.20396/conpuesp.2.2023.4955
NLM
Prado AMM da C, Moraes J de S, Almeida ES de, Pelozio M do S, Sipahi GM, Aranda RA, Diegues CM, Ziemath NOR, Sintra R. Festa do Livro da USP São Carlos - FLUSP: experiência das bibliotecas do campus USP São Carlos, do Centro Cultural do campus USP de São Carlos e da Editora da Universidade de São Paulo - EDUSP [Internet]. Resumos. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.20396/conpuesp.2.2023.4955
Vancouver
Prado AMM da C, Moraes J de S, Almeida ES de, Pelozio M do S, Sipahi GM, Aranda RA, Diegues CM, Ziemath NOR, Sintra R. Festa do Livro da USP São Carlos - FLUSP: experiência das bibliotecas do campus USP São Carlos, do Centro Cultural do campus USP de São Carlos e da Editora da Universidade de São Paulo - EDUSP [Internet]. Resumos. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.20396/conpuesp.2.2023.4955
Trabalho de evento-resumo
Efeitos do strain em nanofios politípicos (2023)
Siqueira, Anderson Henrique; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA COMPUTACIONAL
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ABNT
SIQUEIRA, Anderson Henrique e SIPAHI, Guilherme Matos. Efeitos do strain em nanofios politípicos. 2023, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f2f6df2e-1020-4c27-869a-f11356dd2d0b/3178424.pdf. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Siqueira, A. H., & Sipahi, G. M. (2023). Efeitos do strain em nanofios politípicos. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/f2f6df2e-1020-4c27-869a-f11356dd2d0b/3178424.pdf
NLM
Siqueira AH, Sipahi GM. Efeitos do strain em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f2f6df2e-1020-4c27-869a-f11356dd2d0b/3178424.pdf
Vancouver
Siqueira AH, Sipahi GM. Efeitos do strain em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f2f6df2e-1020-4c27-869a-f11356dd2d0b/3178424.pdf
Trabalho de evento-resumo
Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties (2023)
Wanderley, Adilson Barros; Oliveira, Caio Estevão de; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, SISTEMAS HAMILTONIANOS, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e OLIVEIRA, Caio Estevão de e SIPAHI, Guilherme Matos. Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties. 2023, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2023. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0966-1.pdf. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Wanderley, A. B., Oliveira, C. E. de, & Sipahi, G. M. (2023). Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0966-1.pdf
NLM
Wanderley AB, Oliveira CE de, Sipahi GM. Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0966-1.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Oliveira CE de, Sipahi GM. Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0966-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Estudo de propriedades de qubits em sistemas de baixa dimensionalidade (2023)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA COMPUTACIONAL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Estudo de propriedades de qubits em sistemas de baixa dimensionalidade. 2023, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9b1f0eee-ae3c-46d7-aaef-30f5996a4af5/3178420.pdf. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2023). Estudo de propriedades de qubits em sistemas de baixa dimensionalidade. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/9b1f0eee-ae3c-46d7-aaef-30f5996a4af5/3178420.pdf
NLM
Pauli IG, Sipahi GM. Estudo de propriedades de qubits em sistemas de baixa dimensionalidade [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9b1f0eee-ae3c-46d7-aaef-30f5996a4af5/3178420.pdf
Vancouver
Pauli IG, Sipahi GM. Estudo de propriedades de qubits em sistemas de baixa dimensionalidade [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9b1f0eee-ae3c-46d7-aaef-30f5996a4af5/3178420.pdf
Curadoria
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20 (2022)
Miranda, Caetano Rodrigues ; Sipahi, Guilherme Matos (cur) ; Assali, Lucy Vitoria Credidio (cur) ; Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da (cur)
Unidades: IF, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. . São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. . Acesso em: 09 maio 2024. , 2022
APA
Miranda, C. R. (2022). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA.
NLM
Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ]
Vancouver
Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties (2022)
Wanderley, Adilson Barros; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Abstract Book. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, SISTEMAS HAMILTONIANOS, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos. Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties. 2022, Anais.. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddf77c71-92ba-4599-a766-3ad57b3c4d89/3096441.pdf. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Wanderley, A. B., & Sipahi, G. M. (2022). Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties. In Abstract Book. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddf77c71-92ba-4599-a766-3ad57b3c4d89/3096441.pdf
NLM
Wanderley AB, Sipahi GM. Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddf77c71-92ba-4599-a766-3ad57b3c4d89/3096441.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Sipahi GM. Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddf77c71-92ba-4599-a766-3ad57b3c4d89/3096441.pdf
Trabalho de evento-resumo
Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides (2022)
Sipahi, Guilherme Matos
Source: Abstract Book. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: NITRITOS, ÓPTICA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. 2022, Anais.. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Sipahi, G. M. (2022). Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. In Abstract Book. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
NLM
Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
Vancouver
Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
Trabalho de evento-resumo
Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides (2022)
Bonani, Fabio Danielli; Siqueira, Anderson Henrique; Alves, Horacio W. Leite; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: NITRITOS, ÓPTICA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BONANI, Fabio Danielli et al. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2022. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0427-1.pdf. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Bonani, F. D., Siqueira, A. H., Alves, H. W. L., & Sipahi, G. M. (2022). Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0427-1.pdf
NLM
Bonani FD, Siqueira AH, Alves HWL, Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0427-1.pdf
Vancouver
Bonani FD, Siqueira AH, Alves HWL, Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0427-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores (2022)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA COMPUTACIONAL, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DESENVOLVIMENTO DE SOFTWARE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2022). Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf
NLM
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf
Vancouver
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf
Trabalho de evento-resumo
Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells (2022)
Medeiros, Marcos Henrique Lima de; Teixeira, Raphael Levy Rucio Castro ; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SPIN, POÇOS QUÂNTICOS, CAMPO ELETROMAGNÉTICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MEDEIROS, Marcos Henrique Lima de et al. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2022. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0255-1.pdf. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Medeiros, M. H. L. de, Teixeira, R. L. R. C., Sipahi, G. M., & Silva, L. G. G. de V. D. da. (2022). Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0255-1.pdf
NLM
Medeiros MHL de, Teixeira RLRC, Sipahi GM, Silva LGG de VD da. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0255-1.pdf
Vancouver
Medeiros MHL de, Teixeira RLRC, Sipahi GM, Silva LGG de VD da. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0255-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria (2022)
Wanderley, Adilson Barros; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Wanderley, A. B., & Sipahi, G. M. (2022). Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf
NLM
Wanderley AB, Sipahi GM. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Sipahi GM. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf
Dissertação (Mestrado)
Efeitos do strain em nanofios politípicos (2022)
Siqueira, Anderson Henrique; Sipahi, Guilherme Matos (Orientador)
Unidade: IFSC
Subjects: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, MODELOS MATEMÁTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIQUEIRA, Anderson Henrique. Efeitos do strain em nanofios politípicos. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-17022023-094443/. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Siqueira, A. H. (2022). Efeitos do strain em nanofios politípicos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-17022023-094443/
NLM
Siqueira AH. Efeitos do strain em nanofios politípicos [Internet]. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-17022023-094443/
Vancouver
Siqueira AH. Efeitos do strain em nanofios politípicos [Internet]. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-17022023-094443/
Trabalho de evento-resumo
Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores (2022)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA COMPUTACIONAL, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DESENVOLVIMENTO DE SOFTWARE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. 2022, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2022). Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. In Resumos. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf
NLM
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf
Vancouver
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf
Trabalho de evento-resumo
Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos (2022)
Siqueira, Anderson Henrique; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, MODELOS MATEMÁTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIQUEIRA, Anderson Henrique e SIPAHI, Guilherme Matos. Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b0fa2bf-11cc-4c1a-8ebd-9ced7ba98118/3121360.pdf. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Siqueira, A. H., & Sipahi, G. M. (2022). Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b0fa2bf-11cc-4c1a-8ebd-9ced7ba98118/3121360.pdf
NLM
Siqueira AH, Sipahi GM. Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b0fa2bf-11cc-4c1a-8ebd-9ced7ba98118/3121360.pdf
Vancouver
Siqueira AH, Sipahi GM. Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b0fa2bf-11cc-4c1a-8ebd-9ced7ba98118/3121360.pdf
Trabalho de evento
Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides (2022)
Bonani, Fabio Danielli; Siqueira, Anderson Henrique; Alves, Horacio W. Leite; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Canal YouTube ICTP-SAIFR. Conference titles: ICTP-SAIFR - Condensed Matter Theory in the Metropolis. Unidade: IFSC
Subjects: NITRITOS, ÓPTICA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BONANI, Fabio Danielli et al. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. 2022, Anais.. São Paulo: Universidade Estadual Paulista- UNESP, Instituto de Física Teórica - IFT, 2022. Disponível em: https://www.youtube.com/watch?v=mzCMQyZ_DZI. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Bonani, F. D., Siqueira, A. H., Alves, H. W. L., & Sipahi, G. M. (2022). Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. In Canal YouTube ICTP-SAIFR (Vol. 10 no 2022). São Paulo: Universidade Estadual Paulista- UNESP, Instituto de Física Teórica - IFT. Recuperado de https://www.youtube.com/watch?v=mzCMQyZ_DZI
NLM
Bonani FD, Siqueira AH, Alves HWL, Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Canal YouTube ICTP-SAIFR. 2022 ;10 no 2022[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=mzCMQyZ_DZI
Vancouver
Bonani FD, Siqueira AH, Alves HWL, Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Canal YouTube ICTP-SAIFR. 2022 ;10 no 2022[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=mzCMQyZ_DZI
Trabalho de evento-resumo
Cálculo da densidade de estados através dos métodos marching cubes e marching tetrahedra (2022)
Mazziero, Mateus Lopes; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FRAMEWORKS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAZZIERO, Mateus Lopes e SIPAHI, Guilherme Matos. Cálculo da densidade de estados através dos métodos marching cubes e marching tetrahedra. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/52186d8e-cd4d-48a6-89e6-5998307097a4/PROD034061_3120860.pdf. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Mazziero, M. L., & Sipahi, G. M. (2022). Cálculo da densidade de estados através dos métodos marching cubes e marching tetrahedra. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/52186d8e-cd4d-48a6-89e6-5998307097a4/PROD034061_3120860.pdf
NLM
Mazziero ML, Sipahi GM. Cálculo da densidade de estados através dos métodos marching cubes e marching tetrahedra [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/52186d8e-cd4d-48a6-89e6-5998307097a4/PROD034061_3120860.pdf
Vancouver
Mazziero ML, Sipahi GM. Cálculo da densidade de estados através dos métodos marching cubes e marching tetrahedra [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/52186d8e-cd4d-48a6-89e6-5998307097a4/PROD034061_3120860.pdf
Dissertação (Mestrado)
Estudo da Teoria do Funcional da Densidade aplicada aos semicondutores III-V na fase wurtzita (2021)
Bonani, Fabio Danielli; Sipahi, Guilherme Matos (Orientador)
Unidade: IFSC
Subjects: DENSIDADE, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BONANI, Fabio Danielli. Estudo da Teoria do Funcional da Densidade aplicada aos semicondutores III-V na fase wurtzita. 2021. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-28092021-101344/. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Bonani, F. D. (2021). Estudo da Teoria do Funcional da Densidade aplicada aos semicondutores III-V na fase wurtzita (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-28092021-101344/
NLM
Bonani FD. Estudo da Teoria do Funcional da Densidade aplicada aos semicondutores III-V na fase wurtzita [Internet]. 2021 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-28092021-101344/
Vancouver
Bonani FD. Estudo da Teoria do Funcional da Densidade aplicada aos semicondutores III-V na fase wurtzita [Internet]. 2021 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-28092021-101344/

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